电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SIT9120AI-1D3-25E125.000000T

产品描述OSC MEMS 125.0000MHZ LVPECL SMD
产品类别无源元件   
文件大小480KB,共13页
制造商SiTime
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SIT9120AI-1D3-25E125.000000T概述

OSC MEMS 125.0000MHZ LVPECL SMD

SIT9120AI-1D3-25E125.000000T规格参数

参数名称属性值
类型MEMS(硅)
频率125MHz
功能启用/禁用
输出LVPECL
电压 - 电源2.5V
频率稳定度±50ppm
工作温度-40°C ~ 85°C
电流 - 电源(最大值)69mA
安装类型表面贴装
封装/外壳6-SMD,无引线
大小/尺寸0.276" 长 x 0.197" 宽(7.00mm x 5.00mm)
高度 - 安装(最大值)0.039"(1.00mm)
电流 - 电源(禁用)(最大值)35mA

文档预览

下载PDF文档
SiT9120
Standard Frequency Differential Oscillator
The Smart Timing Choice
The Smart Timing Choice
Features
Applications
31 standard frequencies from 25 MHz to 212.5 MHz
LVPECL and LVDS output signaling types
0.6 ps RMS phase jitter (random) over 12 kHz to 20 MHz bandwidth
Frequency stability as low as ±10 ppm
Industrial and extended commercial temperature ranges
Industry-standard packages: 3.2x2.5, 5.0x3.2 and 7.0x5.0 mmxmm
For any other frequencies between 1 to 625 MHz, refer to SiT9121
and SiT9122 datasheet
10GB Ethernet, SONET, SATA, SAS, Fibre Channel,
PCI-Express
Telecom, networking, instrumentation, storage, servers
Electrical Characteristics
Parameter and Conditions
Supply Voltage
Symbol
Vdd
Min.
2.97
2.25
2.25
Output Frequency Range
Frequency Stability
f
F_stab
25
-10
-20
-25
-50
First Year Aging
10-year Aging
Operating Temperature Range
Input Voltage High
Input Voltage Low
Input Pull-up Impedance
Start-up Time
Resume Time
Duty Cycle
Current Consumption
OE Disable Supply Current
Output Disable Leakage Current
Standby Current
Maximum Output Current
Output High Voltage
Output Low Voltage
Output Differential Voltage Swing
Rise/Fall Time
OE Enable/Disable Time
RMS Period Jitter
F_aging1
F_aging10
T_use
VIH
VIL
Z_in
T_start
T_resume
DC
Idd
I_OE
I_leak
I_std
I_driver
VOH
VOL
V_Swing
Tr, Tf
T_oe
T_jitt
-2
-5
-40
-20
70%
2
45
Vdd-1.1
Vdd-1.9
1.2
Typ.
3.3
2.5
100
6
6
61
1.6
300
1.2
1.2
1.2
0.6
Max.
3.63
2.75
3.63
212.5
+10
+20
+25
+50
+2
+5
+85
+70
30%
250
10
10
55
69
35
1
100
30
Vdd-0.7
Vdd-1.5
2.0
500
115
1.7
1.7
1.7
0.85
Unit
V
V
V
MHz
ppm
ppm
ppm
ppm
ppm
ppm
°C
°C
Vdd
Vdd
ms
ms
%
mA
mA
A
A
mA
V
V
V
ps
ns
ps
ps
ps
ps
25°C
25°C
Industrial
Extended Commercial
Pin 1, OE or ST
Pin 1, OE or ST
Pin 1, OE logic high or logic low, or ST logic high
Pin 1, ST logic low
Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value.
In Standby mode, measured from the time ST pin crosses
50% threshold.
Contact SiTime for tighter duty cycle
Excluding Load Termination Current, Vdd = 3.3V or 2.5V
OE = Low
OE = Low
ST = Low, for all Vdds
Maximum average current drawn from OUT+ or OUT-
See Figure 1(a)
See Figure 1(a)
See Figure 1(b)
20% to 80%, see Figure 1(a)
f = 212.5 MHz - For other frequencies, T_oe = 100ns + 3 period
f = 100 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V
f = 156.25 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V
f = 212.5 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V
f = 156.25 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz, all
Vdds
Excluding Load Termination Current, Vdd = 3.3V or 2.5V
OE = Low
See Figure 2
Termination schemes in Figures 1 and 2 - XX ordering code
See last page for list of standard frequencies
Inclusive of initial tolerance, operating temperature, rated power
supply voltage, and load variations
Condition
LVPECL and LVDS, Common Electrical Characteristics
LVPECL, DC and AC Characteristics
RMS Phase Jitter (random)
T_phj
LVDS, DC and AC Characteristics
Current Consumption
OE Disable Supply Current
Differential Output Voltage
Idd
I_OE
VOD
250
47
350
55
35
450
mA
mA
mV
SiTime Corporation
Rev. 1.06
990 Almanor Avenue, Sunnyvale, CA 94085
(408) 328-4400
www.sitime.com
Revised October 3, 2014
MSP430学习小结3-MSP430基本时钟模块
与51、AVR等单片机不同msp430的时钟信号源有LFXT1,XT2,DCO三种。 1、LFXT1:可接高速和低速晶振,在低速模式下,它可以外接32k的晶振而不需要负载电容,这种方式较为常见主要用来为ACLK提供 ......
Aguilera 微控制器 MCU
20年后,中、美、日的经济实力变化
现在,无论美国还是欧洲,包括小日本,经济领域都要看中国的脸色。这足以让我们自豪! 但若论经济实力,我们还在美日之后, 相信不久将来,20年后,会有让我们更加扬眉吐气的变化。。。...
limu_ln 聊聊、笑笑、闹闹
[急!!!]内存溢出??
EVC书上的例子,但是程序有些错,如果输入数字超过2个,程序自动关闭。或是输入字母有时出现同样情况。内存分配的函数如下,这些数据还没写入串口缓冲区呀,占用的内存应该也不多呀。是什么问题 ......
chennan 嵌入式系统
求方波信号检测硬件电路的设计方案
图片中的第一题和第七题,求硬件电路设计方案~越多越好~ 多学点知识!想了解一下都可以用那些方法~ ...
燕园技术宅 模拟电子
驱动程序开发小问题
小弟正在学习Windows驱动开发,写了个HelloDDK,其中头文件中有一段代码如下: #ifdef __cplusplus extern "C" { #endif #include #ifdef __cplusplus } #endif 但编译连接就有如下 ......
1581582 嵌入式系统
APFC电感采用磁粉心的设计
摘要:磁粉心具有较高的饱和磁通密度和较好的直流偏磁动态线性。用来制作APFC电感,只要恰当选择磁心尺寸和线圈匝数就能取得降低磁心损耗的效果。 磁粉心的饱和磁通密度高达10T(10000Gs)左右 ......
zbz0529 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2133  221  2834  2398  515  17  40  23  43  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved