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IPD90N06S4L05ATMA2: 产品描述MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小161KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPD90N06S4L05ATMA2概述

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

IPD90N06S4L05ATMA2规格参数

参数名称	属性值
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	4.6 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	110nC @ 10V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8180pF @ 25V
功率耗散（最大值）	107W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	PG-TO252-3-11
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

IPD90N06S4L05ATMA2相似产品对比

	IPD90N06S4L05ATMA2	IPD90N06S4L-05	IPD90N06S4L05ATMA1
描述	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3	MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2	MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
是否Rohs认证	-	符合	符合
厂商名称	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	-	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	-	not_compliant	compliant
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	-	1 week	1 week
雪崩能效等级（Eas）	-	135 mJ	135 mJ
外壳连接	-	DRAIN	DRAIN
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	-	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	-	90 A	90 A
最大漏源导通电阻	-	0.0046 Ω	0.0046 Ω
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	-	TO-252	TO-252
JESD-30 代码	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	-	1	1
端子数量	-	2	2
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	360 A	360 A
表面贴装	-	YES	YES
端子形式	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON

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