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IPD90N06S4L05ATMA1

产品描述MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小161KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPD90N06S4L05ATMA1在线购买

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IPD90N06S4L05ATMA1概述

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N06S4L05ATMA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)135 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)90 A
最大漏源导通电阻0.0046 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)360 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

IPD90N06S4L05ATMA1相似产品对比

IPD90N06S4L05ATMA1 IPD90N06S4L-05 IPD90N06S4L05ATMA2
描述 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 -
Reach Compliance Code compliant not_compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
Factory Lead Time 1 week 1 week -
雪崩能效等级(Eas) 135 mJ 135 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 60 V 60 V -
最大漏极电流 (ID) 90 A 90 A -
最大漏源导通电阻 0.0046 Ω 0.0046 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 360 A 360 A -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
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