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RN1965FE(TE85L,F)

产品描述TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小568KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1965FE(TE85L,F)概述

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

RN1965FE(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN1961FE~RN1966FE
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1961FE, RN1962FE, RN1963FE
RN1964FE, RN1965FE, RN1966FE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
Complementary to RN2961FE to RN2966FE
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN1961FE
RN1962FE
R2
RN1963FE
RN1964FE
E
RN1965FE
RN1966FE
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 3mg (typ.)
2-2N1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
(Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1961FE
to 1966FE
RN1961FE
to 1964FE
RN1965FE
RN1966FE
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
10
V
EBO
5
I
C
RN1961FE
to 1966FE
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
100
100
150
−55
to150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Equivalent Circuit
(top view)
6
5
4
Q1
Q2
Emitter-base voltage
1
2
3
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
Start of commercial production
2000-05
1
2014-03-01

RN1965FE(TE85L,F)相似产品对比

RN1965FE(TE85L,F) RN1961FE(TE85L,F) RN1964FE(TE85L,F) RN1966FE(TE85L,F) RN1962FE(TE85L,F) RN1963FE(TE85L,F)
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 - 80 80 50 70
元件数量 2 - 2 2 2 2
极性/信道类型 NPN - NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W - 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES - YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON
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