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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> A3T18H400W23SR6
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A3T18H400W23SR6

产品描述AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小811KB，共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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A3T18H400W23SR6在线购买

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A3T18H400W23SR6概述

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A3T18H400W23SR6规格参数

参数名称属性值
晶体管类型LDMOS（双）
频率1.805GHz ~ 1.88GHz
增益16.8dB
电压 - 测试28V
额定电流10µA
电流 - 测试300mA
功率 - 输出170W
电压 - 额定65V
封装/外壳ACP-1230S-4L2S
供应商器件封装ACP-1230S-4L2S

A3T18H400W23SR6相似产品对比

A3T18H400W23SR6 935360345128
描述 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO RF Power Field-Effect Transistor

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