电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SARS01V1

产品描述DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小849KB,共14页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SARS01V1概述

DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

SARS01V1规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)800V
电流 - 平均整流(Io)1.2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf920mV @ 1.2A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)18µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 800V
安装类型通孔
封装/外壳轴向
供应商器件封装轴向
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C

SARS01V1相似产品对比

SARS01V1 SARS01 SARS01W SARS01V0 SARS01V
描述 DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL RECTIFIER DIODE DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 800V - 800V 800V 600V
电流 - 平均整流(Io) 1.2A - 1.2A 1.2A 3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 920mV @ 1.2A - 920mV @ 1.2A 920mV @ 1.2A 1.15V @ 3A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 18µs - 18µs 18µs 200ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 800V - 10µA @ 800V 10µA @ 800V 10µA @ 600V
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 轴向 - 轴向,径向弯曲 轴向 轴向
供应商器件封装 轴向 - 轴向 轴向 轴向
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C - -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 537  716  1224  1360  1672 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved