电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI7495DP-T1-E3

产品描述MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SI7495DP-T1-E3概述

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

SI7495DP-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
最大漏极电流 (ID)13 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间30

文档预览

下载PDF文档
Si7495DP
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(Ω)
0.0065 at V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.008 at V
GS
= - 2.5 V
0.011 at V
GS
= - 1.8V
I
D
(A)
- 21
- 19
- 16
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package with Low 1.07 mm Profile
APPLICATIONS
PowerPAK SO-8
• Load Switch
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
G
4
S
D
8
7
6
5
D
D
D
G
Bottom View
Ordering Information:
Si7495DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7495DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak
Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
10 s
Steady State
- 12
±8
- 13
- 10
- 50
- 1.6
1.8
1.1
- 55 to 150
260
Unit
V
- 21
- 17
- 4.5
5
3.2
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
20
54
1.7
Maximum
25
68
2.2
Unit
°C/W
Notes
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 72277
S09-0268-Rev. C, 16-Feb-09
www.vishay.com
1

SI7495DP-T1-E3相似产品对比

SI7495DP-T1-E3 SI7495DP-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8 MOSFET 12V 21A 5.0W 6.5mohm @ 4.5V
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 13 A 13 A
最大漏极电流 (ID) 13 A 13 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Pure Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
有才!辞职报告范本
  范本一   尊敬的___________领导:   天要下雨,娘要嫁人,生死有命,富贵在天。本来我想在培养我的 ______________公司里工作终老,但是生活是残酷的,巨大的生活压力迫使我抬起头来, ......
刘兴光 聊聊、笑笑、闹闹
哪位大哥能给发个rapi.lib
想在pc和device之间通过rapi进行通信,但是找不到rapi.lib 哪位兄弟有给发一个到邮箱guopeixin@yahoo.com.cn中, 先行谢过了...
userchen 嵌入式系统
启动程序与引导程序有什么区别呀????
启动程序与引导程序有什么区别呀????...
给我一个大苹果 嵌入式系统
测试流接口驱动的测试程序如何写啊?
怎么写测试流接口驱动的测试程序啊?就是在应用程序中如果调用流接口驱动的那几个接口函数啊? 呵呵 有个简单的例子更好。。...
kids 嵌入式系统
求07年全国电设开关稳压电源详细资料czyuanlifei@163.com...
feifeijames 电子竞赛
VB 串口/Socket(TCP/UDP)调试助手(工具)软件
VB开发—Socket调试助手工具、串口调试助手 作为码农,给大家介绍一下编写过程中的调试环境:(当软件为服务器时,用多个wifi模块作为客户端来测试)https://img.alicdn.com/imgextra/i2/50115 ......
mengzi 下载中心专版

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1803  1785  1531  1631  456  2  48  49  6  42 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved