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SI7495DP-T1-GE3

产品描述MOSFET 12V 21A 5.0W 6.5mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI7495DP-T1-GE3在线购买

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SI7495DP-T1-GE3概述

MOSFET 12V 21A 5.0W 6.5mohm @ 4.5V

SI7495DP-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
最大漏极电流 (ID)13 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5 W
表面贴装YES
端子面层Pure Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间30

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Si7495DP
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(Ω)
0.0065 at V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.008 at V
GS
= - 2.5 V
0.011 at V
GS
= - 1.8V
I
D
(A)
- 21
- 19
- 16
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package with Low 1.07 mm Profile
APPLICATIONS
PowerPAK SO-8
• Load Switch
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
G
4
S
D
8
7
6
5
D
D
D
G
Bottom View
Ordering Information:
Si7495DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7495DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak
Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
10 s
Steady State
- 12
±8
- 13
- 10
- 50
- 1.6
1.8
1.1
- 55 to 150
260
Unit
V
- 21
- 17
- 4.5
5
3.2
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
20
54
1.7
Maximum
25
68
2.2
Unit
°C/W
Notes
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 72277
S09-0268-Rev. C, 16-Feb-09
www.vishay.com
1

SI7495DP-T1-GE3相似产品对比

SI7495DP-T1-GE3 SI7495DP-T1-E3
描述 MOSFET 12V 21A 5.0W 6.5mohm @ 4.5V MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 13 A 13 A
最大漏极电流 (ID) 13 A 13 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Pure Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
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