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SI2331DS-T1-E3

产品描述MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小105KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI2331DS-T1-E3概述

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

SI2331DS-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.2 A
最大漏极电流 (ID)3.2 A
最大漏源导通电阻0.048 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.89 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si2331DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 12
R
DS(on)
(Ω)
0.048 at V
GS
= - 4.5 V
0.062 at V
GS
= - 2.5 V
0.090 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 3.6
- 3.2
- 2.7
FEATURES
Halogen-free Option Available
TrenchFET
®
Power MOSFETS
RoHS
APPLICATIONS
• Load Switch
• PA Switch
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
S
2
D
Top View
Si2331DS *(E1)
* Marking Code
Ordering Information:
Si2331DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2331DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 0.74
0.89
0.57
- 55 to 150
- 3.6
- 2.9
- 12
- 0.59
0.71
0.45
W
°C
5s
±8
- 3.2
- 2.6
A
Steady State
- 12
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t
5 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
115
140
60
Maximum
140
175
75
°C/W
Unit
Document Number: 72152
S-80642-Rev. C, 24-Mar-08
www.vishay.com
1

SI2331DS-T1-E3相似产品对比

SI2331DS-T1-E3 SI2331DS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 mosfet P-CH 12v 3.2A sot23-3
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 12 V 12 V
最大漏极电流 (ID) 3.2 A 3.2 A
最大漏源导通电阻 0.048 Ω 0.048 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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