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24LC64-I/MC

产品描述8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小314KB,共28页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24LC64-I/MC概述

8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

8K × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8

24LC64-I/MC规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DFN
包装说明2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e3
长度3 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

24LC64-I/MC相似产品对比

24LC64-I/MC 24AA64_07 24LC64-E/MC 24AA64T-I/MC 24AA64T-E/MC 24AA64-I/MC 24AA64-E/MC
描述 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 - 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 - 符合 -
零件包装代码 DFN - DFN DFN - DFN -
包装说明 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 - 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 - 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 -
针数 8 - 8 8 - 8 -
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99 -
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz - 0.4 MHz 0.4 MHz - 0.4 MHz -
数据保留时间-最小值 200 - 200 200 - 200 -
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles -
I2C控制字节 1010DDDR - 1010DDDR 1010DDDR - 1010DDDR -
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 - R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 - R-PDSO-N8 -
JESD-609代码 e3 - e3 e3 - e3 -
长度 3 mm - 3 mm 3 mm - 3 mm -
内存密度 65536 bi - 65536 bi 65536 bi - 65536 bi -
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 - 8 -
湿度敏感等级 1 - 1 1 - 1 -
功能数量 1 1 1 1 - 1 -
端子数量 8 8 8 8 - 8 -
字数 8192 words - 8192 words 8192 words - 8192 words -
字数代码 8000 - 8000 8000 - 8000 -
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS -
最高工作温度 85 °C - 125 °C 85 °C - 85 °C -
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C - -40 °C -
组织 8KX8 8K × 8 8KX8 8KX8 - 8KX8 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装代码 VSON - VSON VSON - VSON -
封装等效代码 SOLCC8,.11,20 - SOLCC8,.11,20 SOLCC8,.11,20 - SOLCC8,.11,20 -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE -
并行/串行 SERIAL - SERIAL SERIAL - SERIAL -
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 - 260 -
电源 2/5 V - 3/5 V 2/5 V - 2/5 V -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
座面最大高度 1 mm - 1 mm 1 mm - 1 mm -
串行总线类型 I2C - I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000001 A - 0.000001 A 0.000001 A - 0.000001 A -
最大压摆率 0.003 mA - 0.003 mA 0.003 mA - 0.003 mA -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V - 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 1.7 V - 1.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 2.5 V - 2.5 V -
表面贴装 YES Yes YES YES - YES -
技术 CMOS - CMOS CMOS - CMOS -
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL - INDUSTRIAL -
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) -
端子形式 NO LEAD GULL WING NO LEAD NO LEAD - NO LEAD -
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm 0.5 mm - 0.5 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40 40 - 40 -
宽度 2 mm - 2 mm 2 mm - 2 mm -
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms - 5 ms 5 ms - 5 ms -
写保护 HARDWARE - HARDWARE HARDWARE - HARDWARE -
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 1

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