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CMLDM7120G TR

产品描述MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小545KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMLDM7120G TR概述

MOSFET N-CH 20V 1A SOT563

CMLDM7120G TR规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)100 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)2.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值)8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)220pF @ 10V
功率耗散(最大值)150mW(Ta)
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-563
封装/外壳SOT-563,SOT-666

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CMLDM7120G
SURFACE MOUNT SILICON
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7120G
is an enhancement-mode N-Channel MOSFET,
manufactured by the N-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. This MOSFET offers low rDS(ON) and
low threshold voltage.
MARKING CODE: C7G
• Device is
Halogen Free
by design
SOT-563 CASE
APPLICATIONS:
Load/Power switches
Power supply converter circuits
Battery powered portable equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
FEATURES:
ESD protection up to 2kV
Low rDS(ON) (0.25Ω MAX @ VGS=1.5V)
High current (ID=1.0A)
Logic level compatibility
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
20
8.0
1.0
4.0
350
300
150
-65 to +150
357
UNITS
V
V
A
A
mW
mW
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
VDS=20V, VGS=0
BVDSS
VGS=0, ID=250μA
VGS(th)
VDS=10V, ID=1.0mA
VSD
VGS=0, IS=1.0A
rDS(ON)
VGS=4.5V, ID=0.5A
rDS(ON)
VGS=2.5V, ID=0.5A
rDS(ON)
VGS=1.5V, ID=0.1A
gFS
VDS=10V, ID=0.5A
Crss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
Ciss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
Coss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
Qg(tot)
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
Qgs
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
Qgd
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
ton
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=0.5A
toff
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=0.5A
Notes:
otherwise noted)
MIN
TYP
MAX
10
10
1.2
1.1
0.10
0.14
0.25
20
0.5
0.075
0.10
0.20
2.5
45
220
120
2.4
0.25
0.65
25
140
UNITS
μA
μA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
(1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
R6 (8-June 2015)

 
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