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IRG4BC20SD-S

产品描述IGBT 600V 19A 60W D2PAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小396KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IRG4BC20SD-S概述

IGBT 600V 19A 60W D2PAK

IRG4BC20SD-S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)19 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1780 ns
标称接通时间 (ton)99 ns
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