MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | 4 N 沟道，配对 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 500 欧姆 @ 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.01V @ 1µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 600mW |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| ALD1108ESCL | ALD1110ESAL | ALD1108EPCL | ALD1110EPAL | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC | MOSFET 4N-CH 10V 16DIP | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| FET 类型 | 4 N 沟道，配对 | 2 N 沟道（双）配对 | 4 N 沟道，配对 | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET 功能 | 标准 | 标准 | 标准 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 500 欧姆 @ 5V | 500 欧姆 @ 5V | 500 欧姆 @ 5V | 500 欧姆 @ 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.01V @ 1µA | 1.01V @ 1µA | 1.01V @ 1µA | 1.01V @ 1µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 5V | 2.5pF @ 5V | 25pF @ 5V | 2.5pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 600mW | 600mW | 600mW | 600mW |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） | 0°C ~ 70°C（TJ） | 0°C ~ 70°C（TJ） | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 | 通孔 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC | 8-SOIC | 16-PDIP | 8-PDIP |
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