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ALD1108EPCL: 产品描述MOSFET 4N-CH 10V 16DIP; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小143KB，共14页; 制造商Advanced_Linear_Devices_Inc.; 标准

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MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

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描述	MOSFET 4N-CH 10V 16DIP	MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC	MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC	MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
FET 类型	4 N 沟道，配对	2 N 沟道（双）配对	4 N 沟道，配对	2 N 沟道（双）配对
FET 功能	标准	标准	标准	标准
漏源电压（Vdss）	10V	10V	10V	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	500 欧姆 @ 5V	500 欧姆 @ 5V	500 欧姆 @ 5V	500 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.01V @ 1µA	1.01V @ 1µA	1.01V @ 1µA	1.01V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	25pF @ 5V	2.5pF @ 5V	25pF @ 5V	2.5pF @ 5V
功率 - 最大值	600mW	600mW	600mW	600mW
工作温度	0°C ~ 70°C（TJ）	0°C ~ 70°C（TJ）	0°C ~ 70°C（TJ）	0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型	通孔	表面贴装	表面贴装	通孔
封装/外壳	16-DIP（0.300"，7.62mm）	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）	16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）	8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装	16-PDIP	8-SOIC	16-SOIC	8-PDIP

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