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MURF8L60HC0G

产品描述DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小182KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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MURF8L60HC0G概述

DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

MURF8L60HC0G规格参数

参数名称属性值
包装说明GREEN, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.065 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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MURF8L60
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
8A, 600V Glass Passivated Low VF Super Fast Rectifier
FEATURES
- Low conduction loss for high efficiency
- Excellent high temperature stability
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
1
2
TYPICAL APPLICATIONS
MURF8L60 is especially suited as boost diode in
discontinuous mode power factor correction or as a free
wheeling diode in other power supply applications.
ITO-220AC
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AC
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
0.56 Nm maximum
Weight:
1.85g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum average forward rectified current
Non-repetitive peak forward surge current
8.3ms single sine-wave
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 8 A
Maximum reverse current @ rated V
R
Maximum reverse recovery time
I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
RR
=0.25A
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
MURF8L60
600
420
600
8
100
1.3
5
200
65
2.8
10
- 55 to +175
- 55 to +175
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
ns
°C/W
°C
°C
Version: B1512

MURF8L60HC0G相似产品对比

MURF8L60HC0G MURF8L60 C0G
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
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