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SIT9005AIB1D-28EA

产品描述OSC MEMS
产品类别无源元件   
文件大小333KB,共9页
制造商SiTime
标准
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SIT9005AIB1D-28EA概述

OSC MEMS

MOS管为什么会被静电击穿?
[size=4]MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被...
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