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3KP58C: 产品描述3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小66KB，共4页; 制造商FORMOSA; 官网地址http://www.formosams.com/

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3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

参数名称	属性值
厂商名称	FORMOSA
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	71.2 V
最小击穿电压	64.4 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	6.5 W
最大重复峰值反向电压	58 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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