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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RU4DS
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RU4DS

产品描述2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小20KB，共1页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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RU4DS概述

2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

RU4DS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SANKEN
零件包装代码AXIAL DIODE
包装说明AXIAL PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1300 V
最大反向恢复时间0.18 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Damper Diodes (For Display)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Type No.
V
RM
(V)
I
F (AV)
(A)
( ) is with
Heatsink
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Tstg
(°C)
V
F
(V)
max
I
F
(A)
I
R
(H)
I
R
(µA)
(µA)
V
R
= V
RM
V
R
= V
RM
max
Ta =100°C max
Others
I
FSM
(A)
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
Tj
(°C)
t
rr
Œ
(µs)
I
F
/
I
RP
(mA)
t
rr

(µs)
I
F
/
I
RP
(mA)
Rth (j- )
(°C/ W)
Mass
Fig.
(g)
RU 4D
1300
1.2 (1.5)
1.8
1.5 (2.5)
1500
2.0
50
–40 to +150
1.7
1.5
0.4
3.0
2.0
50
500
0.7
500/500
0.3
0.18
500/1000
10.0
1.0
B
8.0
1.2
A
RU 4DS
RP 3F
RU 4D
2.0
I
F (AV)
(A)
Ta—I
F(AV)
Derating
20•20•1t Cu
V
F
— I
F
Characteristics
(Typical)
30
I
FSM
(A)
I
FMS
Rating
50
I
FSM
(A)
20ms
10
1.5
Forward Current I
F
(A)
40
Average Forward Current
1
Peak Forward Surge Current
5mm
5mm
30
1.0
W
ith
ou
W
ith
at
He
sin
tH
ea
0.1
0.5
Ta=140ºC
100ºC
28ºC
20
k
in
ts
k
0.01
10
0
0.001
0
25 40 50 60 75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Forward Voltage V
F
(V)
2.5
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RU 4DS
3.0
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
Ta—I
F(AV)
Derating
20•20•1t Cu
V
F
— I
F
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
I
FMS
Rating
50
I
FSM
(A)
20ms
20
10
Forward Current I
F
(A)
2.5
5mm
5mm
40
2.0
ink
ats
He
ith
W
1
Peak Forward Surge Current
30
1.5
W
0.1
1.0
0.5
0
ith
ou
tH
ea
ts
0.01
in
Ta=150ºC
100ºC
60ºC
26ºC
20
10
k
0
25
50 60 75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0.001
0
0.5
1.0
1.5
Forward Voltage V
F
(V)
2.0
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RP 3F
2.5
I
F (AV)
(A)
Ta—I
F(AV)
Derating
10mm
V
F
— I
F
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
I
FMS
Rating
50
I
FSM
(A)
20ms
20
10
Forward Current I
F
(A)
2.0
P. C. B. t 1.6
Solder Land
10
40
1
1.5
Peak Forward Surge Current
Average Forward Current
30
0.1
1.0
0.5
0.01
Ta=150ºC
100ºC
60ºC
25ºC
20
10
0
0
25
50
75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0.001
0
0.5
1.0
1.5
Forward Voltage V
F
(V)
2.0
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
External Dimensions
(Unit: mm) (Full-mold)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig.
A
1.4
±0.1
Fig.
B
1.2
±0.05
Cathode Mark
Cathode Mark
62.5
±0.7
6.5
±0.2
50.0
±1.0
8.0
±0.2
9.1
±0.2
5.2
±0.2
73

RU4DS相似产品对比

RU4DS RP3F RU4D
描述 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
厂商名称 SANKEN SANKEN SANKEN
零件包装代码 AXIAL DIODE AXIAL DIODE AXIAL DIODE
包装说明 AXIAL PACKAGE-2 O-XALF-W2 AXIAL PACKAGE-2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 1.5 A 2 A 1.2 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.18 µs 0.3 µs 0.18 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大正向电压 (VF) 1.8 V - 1.8 V
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 1300 V - 1300 V
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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