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TSP10H200S S1G

产品描述DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小186KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSP10H200S S1G概述

DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A

TSP10H200S S1G规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)10A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf910mV @ 10A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 200V
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-277,3-PowerDFN
供应商器件封装TO-277A(SMPC)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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TSP10H200S
Taiwan Semiconductor
10A, 200V Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ high efficiency
- High forward surge capability
- Ideal for automated placement
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
TO-277A (SMPC)
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier is designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting
and on-board DC/DC converters.
MECHANICAL DATA
Case:
TO-277A (SMPC)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Weight:
95mg (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (Note 1)
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
I
F
= 5A
I
F
= 10A
I
F
= 5A
I
F
= 10A
Maximum instantaneous reverse current
at rated reverse voltage
Typical thermal resistance
Operating temperature range
Storage temperature range
Note 1: Mounted on 30 mm x 30 mm 4 oz. pad PCB
Note 2: Pulse Test with Pulse Width=300μs, 1% Duty Cycle
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
MIN
Maximum instantaneous forward voltage
(Note 2)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
R
θJL
T
J
T
STG
-
V
F
-
-
-
-
-
SYMBOL
TSP10H200S
10H200
200
10
180
TYP
0.75
0.80
0.59
0.66
5
3
15
- 55 to +150
- 55 to +150
MAX
-
0.91
-
0.74
100
20
μA
mA
°C/W
°C
°C
V
V
A
A
UNIT
Document Number: DS_D1411066
Version: D15

TSP10H200S S1G相似产品对比

TSP10H200S S1G TSP10H200SS2G
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-277A,
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