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SI2301-TP

产品描述MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小352KB,共5页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SI2301-TP概述

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

SI2301-TP规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)450mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)14.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)880pF @ 6V
功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

SI2301-TP相似产品对比

SI2301-TP
描述 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 450mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 6V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
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