MOSFET P-CH 25V 9UWLB
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | P 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 3.9A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 40 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | -6V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 850pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 940mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 155°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | U-WLB1515-9 |
封装/外壳 | 9-UFBGA,WLBGA |
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