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TSM6N60CH C5G

产品描述MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSM6N60CH C5G概述

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251

TSM6N60CH C5G规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.25 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)20.7nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1248pF @ 25V
功率耗散(最大值)89W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-251(IPAK)
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

TSM6N60CH C5G相似产品对比

TSM6N60CH C5G TSM6N60CP ROG
描述 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.25 欧姆 @ 3A,10V 1.25 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.7nC @ 10V 20.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1248pF @ 25V 1248pF @ 25V
功率耗散(最大值) 89W(Tc) 89W(Tc)
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 通孔 表面贴装
供应商器件封装 TO-251(IPAK) TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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