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L14N1

产品描述DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18
产品类别传感器   
文件大小178KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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L14N1概述

DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18

L14N1规格参数

参数名称属性值
电压 - 集射极击穿(最大值)30V
电流 - 暗(Id)(最大值)100nA
波长880nm
视角80°
功率 - 最大值300mW
安装类型通孔
朝向顶视图
工作温度-65°C ~ 125°C(TA)
封装/外壳TO-206AA,TO-18-3 金属罐

L14N1相似产品对比

L14N1 L14N2
描述 DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18 DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V 30V
电流 - 暗(Id)(最大值) 100nA 100nA
波长 880nm 880nm
视角 80° 80°
功率 - 最大值 300mW 300mW
安装类型 通孔 通孔
朝向 顶视图 顶视图
工作温度 -65°C ~ 125°C(TA) -65°C ~ 125°C(TA)
封装/外壳 TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-206AA,TO-18-3 金属罐

 
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