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JAN2N3485A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N3485A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN

JAN2N3485A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1916729620
零件包装代码BCY
包装说明TO-46, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-46
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/392G
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)175 ns
最大开启时间(吨)45 ns

JAN2N3485A相似产品对比

JAN2N3485A 2N3486A 2N3485A 2N3485AE3 JANTXV2N3486A JANTXV2N3485A JANTX2N3486A
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 100 40 40 100 40 100
JEDEC-95代码 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
Objectid 1916729620 1689286828 1689286814 - 1916729632 2078586626 2078571342
零件包装代码 BCY BCY BCY - BCY BCY BCY
包装说明 TO-46, 3 PIN - - - TO-46, 3 PIN TO-46, 3 PIN TO-46, 3 PIN
针数 3 3 3 - 3 3 3
外壳连接 COLLECTOR - - - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 e0 e0
最高工作温度 200 °C 175 °C 175 °C - 200 °C 175 °C 175 °C
认证状态 Qualified Not Qualified Not Qualified - Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/392G - - - MIL-19500/392G MIL-19500/392G MIL-19500/392G
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
晶体管应用 SWITCHING - - - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
最大关闭时间(toff) 175 ns - - - 200 ns 175 ns 200 ns
最大开启时间(吨) 45 ns - - - 45 ns 45 ns 45 ns
最大功率耗散 (Abs) - 0.4 W 0.4 W - - 0.4 W 0.4 W
标称过渡频率 (fT) - 200 MHz 200 MHz 200 MHz - 200 MHz 200 MHz
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