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2N3485AE3

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N3485AE3概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46,

2N3485AE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-46
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 100 40 40 100 40 100
JEDEC-95代码 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46 TO-46
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz - - 200 MHz 200 MHz
是否无铅 - 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Objectid - 1689286828 1689286814 1916729620 1916729632 2078586626 2078571342
零件包装代码 - BCY BCY BCY BCY BCY BCY
针数 - 3 3 3 3 3 3
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 200 °C 200 °C 175 °C 175 °C
最大功率耗散 (Abs) - 0.4 W 0.4 W - - 0.4 W 0.4 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
包装说明 - - - TO-46, 3 PIN TO-46, 3 PIN TO-46, 3 PIN TO-46, 3 PIN
外壳连接 - - - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
参考标准 - - - MIL-19500/392G MIL-19500/392G MIL-19500/392G MIL-19500/392G
晶体管应用 - - - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
最大关闭时间(toff) - - - 175 ns 200 ns 175 ns 200 ns
最大开启时间(吨) - - - 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns
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