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TK5A65DA(STA4,Q,M)

产品描述MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小230KB,共9页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TK5A65DA(STA4,Q,M)概述

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS

TK5A65DA(STA4,Q,M)规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.67 欧姆 @ 2.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)16nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)700pF @ 25V
功率耗散(最大值)35W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220SIS
封装/外壳TO-220-3 整包
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