93LC76C-I/STG,93LC76C-I/STG pdf中文资料,93LC76C-I/STG引脚图,93LC76C-I/STG电路-Datasheet-电子工程世界

93LC76C-I/STG: 产品描述512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小361KB，共28页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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93LC76C-I/STG概述

512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

512 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	SOIC
包装说明	4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
备用内存宽度	8
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	4.4 mm
内存密度	8192 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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