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GSXD080A010S1-D3

产品描述DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共3页
制造商Global Communications
标准
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GSXD080A010S1-D3概述

DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227

GSXD080A010S1-D3规格参数

参数名称属性值
二极管配置2 个独立式
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)160A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf840mV @ 80A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1mA @ 100V
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装SOT-227

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Data Sheet
GSXD080A010S1-D3
GSX
SCHOTTKY DIODE MODULE TYPE 160A
Features
High Surge Capability
Type 100V V
RRM
Isolation Type Package
Electrically Isolation base plate
Maximum Ratings
Operating Temperature:-40 °C to +150 °C
Storage Temperature:-40 °C to +150 °C
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
100V
Maximum DC
Blocking
Voltage
100V
Part Number
Maximum
RMS Voltage
GSXD080A010S1-D3
70V
Electrical Characteristics @ 25
Unless Otherwise Specified.
Average Forward
Current
(Per pkg)
Peak Forward Surge
Current
(Per leg)
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
(Per leg)
Maximum
NOTE(1)
Instantaneous
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
(Per leg)
Isolation Voltage
Maximum Thermal
Resistance Junction
To Case
(Per leg)
I
F(AV)
I
FSM
V
F
160A
900A
0.75V
0.84V
1 mA
10 mA
30 mA
2500V
0.60℃/W
T
c
=11 0
8.3ms,half sine
I
FM
= 80A;T
J
=1 25
I
FM
= 80A;T
J
= 25
T
J
=25
T
J
=100
T
J
=150
A.C. 1 minute
I
R
V
iso
Rθjc
www.GPTechGroup.com
-1-
Aug
2014

 
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