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FQB3P20TM

产品描述MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小559KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQB3P20TM概述

MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK

FQB3P20TM规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)2.7 欧姆 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)8nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)250pF @ 25V
功率耗散(最大值)3.13W(Ta),52W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

FQB3P20TM相似产品对比

FQB3P20TM FQI3P20TU
描述 MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
FET 类型 P 沟道 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc) 2.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.7 欧姆 @ 1.4A,10V 2.7 欧姆 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V 8nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V 250pF @ 25V
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),52W(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 通孔
供应商器件封装 D²PAK(TO-263AB) I2PAK(TO-262)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
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