MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I2PAK（TO-262） |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| FQI3P20TU | FQB3P20TM | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK | MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK |
| FET 类型 | P 沟道 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2.8A（Tc） | 2.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.4A，10V | 2.7 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V | 8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 25V | 250pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），52W（Tc） | 3.13W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | I2PAK（TO-262） | D²PAK（TO-263AB） |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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