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CZTA64 TR

产品描述TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT223
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小353KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CZTA64 TR概述

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT223

CZTA64 TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP - 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值2W
频率 - 跃迁125MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

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CZTA14 NPN
CZTA64 PNP
SURFACE MOUNT SILICON
COMPLEMENTARY
DARLINGTON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA14 and CZTA64
are complementary silicon Darlington transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed for
applications requiring extremely high gain.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCES
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
30
30
10
500
2.0
-65 to +150
62.5
MAX
100
100
1.5
2.0
UNITS
V
V
V
mA
W
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
V
V
V
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VCB=30V
VEB=10V
IC=100µA
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
30
10,000
20,000
125
MHz
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