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AIHD04N60RFATMA1

产品描述IC DISCRETE 600V TO252-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小2MB,共16页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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AIHD04N60RFATMA1概述

IC DISCRETE 600V TO252-3

AIHD04N60RFATMA1规格参数

参数名称属性值
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)12A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.5V @ 15V,4A
功率 - 最大值75W
开关能量60µJ(开),50µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷27nC
25°C 时 Td(开/关)值12ns/116ns
测试条件400V,4A,43 欧姆,15V
工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3

AIHD04N60RFATMA1相似产品对比

AIHD04N60RFATMA1 AIHD04N60RF
描述 IC DISCRETE 600V TO252-3 TRENCHSTOP™ RC-Series for hard switching Automotive applications with integrated diode in packages offers space saving advantage.

 
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