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BQ25150

产品描述Low IQ linear battery charge management solution with LDO and ADC 20-DSBGA -40 to 85
产品类别半导体    电源管理   
文件大小2MB,共109页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数 选型对比

BQ25150概述

Low IQ linear battery charge management solution with LDO and ADC 20-DSBGA -40 to 85

具有 LDO 和 ADC 的低 IQ 线性电池充电管理解决方案 20-DSBGA -40 to 85

BQ25150规格参数

参数名称属性值
Battery charge voltage(Min)(V)3.6
FeaturesIntegrated LDO,Power Path,JEITA BAT Temp Monitoring (Thermistor Pin),Temp Monitoring (Thermistor Pin),Integrated ADC,Thermal Regulation
Charge current(Max)(A)0.5
RatingCatalog
Absolute Vin (safety rating)(Max)((V))20
Package GroupDSBGA|20
Number of series cells1
Battery charge voltage(Max)(V)4.6
Operating Vin(Min)(V)3.4
Control interfaceI2C
Cell chemistryLi-Ion/Li-Polymer
Operating Vin(Max)(V)5.5
Control topologyLinear

BQ25150相似产品对比

BQ25150 BQ25150YFPR BQ25150YFPT
描述 Low IQ linear battery charge management solution with LDO and ADC 20-DSBGA -40 to 85 Low IQ linear battery charge management solution with LDO and ADC 20-DSBGA -40 to 85 I2C controlled 500-mA linear battery charger with Power Path,  Low Iq, integrated LDO and 16-bit ADC 20-DSBGA -40 to 85
Brand Name - Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
包装说明 - VFBGA, VFBGA,
Reach Compliance Code - compliant compliant
可调阈值 - YES YES
模拟集成电路 - 其他类型 - POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT
JESD-30 代码 - R-XBGA-B20 R-PBGA-B20
JESD-609代码 - e1 e1
长度 - 2.015 mm 2.015 mm
湿度敏感等级 - 1 1
信道数量 - 2 2
功能数量 - 1 1
端子数量 - 20 20
最高工作温度 - 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
封装主体材料 - UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 - VFBGA VFBGA
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度 - 0.5 mm 0.5 mm
最大供电电压 (Vsup) - 5.25 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) - 3.15 V 3.4 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V
表面贴装 - YES YES
温度等级 - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER
端子形式 - BALL BALL
端子节距 - 0.4 mm 0.4 mm
端子位置 - BOTTOM BOTTOM
宽度 - 1.615 mm 1.615 mm
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