电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

LM760J/883

产品描述

LM760J/883放大器基础信息:

LM760J/883是一款COMPARATOR。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

LM760J/883放大器核心信息:

LM760J/883的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:60 µA他的最大平均偏置电流为60 µA

提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。LM760J/883仅需16 ns即可完成响应。厂商给出的LM760J/883的最大压摆率为32 mA.

LM760J/883的标称供电电压为6.5 V,其对应的标称负供电电压为-6.5 V。而其供电电源的范围为:+-4.5/+-6.5 V。LM760J/883的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)LM760J/883的宽度为:7.62 mm。

LM760J/883的相关尺寸:

LM760J/883拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

LM760J/883放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。LM760J/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM760J/883的封装代码是:DIP。

LM760J/883封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LM760J/883封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

产品类别放大器电路    比较器   
文件大小99KB,共8页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
器件替换:LM760J/883替换放大器
敬请期待 详细参数 选型对比

LM760J/883概述

LM760J/883放大器基础信息:

LM760J/883是一款COMPARATOR。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

LM760J/883放大器核心信息:

LM760J/883的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:60 µA他的最大平均偏置电流为60 µA

提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。LM760J/883仅需16 ns即可完成响应。厂商给出的LM760J/883的最大压摆率为32 mA.

LM760J/883的标称供电电压为6.5 V,其对应的标称负供电电压为-6.5 V。而其供电电源的范围为:+-4.5/+-6.5 V。LM760J/883的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)LM760J/883的宽度为:7.62 mm。

LM760J/883的相关尺寸:

LM760J/883拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

LM760J/883放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。LM760J/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM760J/883的封装代码是:DIP。

LM760J/883封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LM760J/883封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

LM760J/883规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
放大器类型COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)60 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)60 µA
最大输入失调电压6000 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T8
JESD-609代码e0
标称负供电电压 (Vsup)-6.5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出类型TOTEM POLE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-4.5/+-6.5 V
认证状态Not Qualified
标称响应时间16 ns
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率32 mA
标称供电电压 (Vsup)6.5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

LM760J/883相似产品对比

LM760J/883 LM760H/883
描述 IC COMPARATOR, 6000 uV OFFSET-MAX, 16 ns RESPONSE TIME, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Comparator IC COMPARATOR, 6000 uV OFFSET-MAX, 16 ns RESPONSE TIME, MBCY8, METAL CAN-8, Comparator
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
零件包装代码 DIP BCY
包装说明 DIP, DIP14,.3 , CAN8,.23
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
放大器类型 COMPARATOR COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB) 60 µA 60 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 60 µA 60 µA
最大输入失调电压 6000 µV 6000 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 O-MBCY-W8
JESD-609代码 e0 e0
标称负供电电压 (Vsup) -6.5 V -6.5 V
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
输出类型 TOTEM POLE TOTEM POLE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED METAL
封装等效代码 DIP14,.3 CAN8,.23
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 IN-LINE CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 +-4.5/+-6.5 V +-4.5/+-6.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称响应时间 16 ns 16 ns
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大压摆率 32 mA 32 mA
标称供电电压 (Vsup) 6.5 V 6.5 V
表面贴装 NO NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE WIRE
端子位置 DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2706  2493  1933  1958  796  55  51  39  40  17 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved