AM29DL800BB70EI,AM29DL800BB70EI pdf中文资料,AM29DL800BB70EI引脚图,AM29DL800BB70EI电路-Datasheet-电子工程世界

AM29DL800BB70EI: 产品描述512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小715KB，共46页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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AM29DL800BB70EI概述

512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48

512K × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 70 ns, PDSO48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
其他特性	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	2,4,2,14
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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