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Datasheet> 器件分类 > 存储> HY57V654010TC-12
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HY57V654010TC-12

产品描述Synchronous DRAM, 16MX4, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
产品类别存储   
文件大小282KB，共10页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HY57V654010TC-12概述

Synchronous DRAM, 16MX4, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V654010TC-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间9 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

HY57V654010TC-12相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 16MX4, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Illuminated Pushbutton - 19mm Synchronous DRAM, 16MX4, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 - TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP2, - TSOP2,
针数 54 54 54 54 - 54
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown - unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 9 ns 8 ns 8 ns 6 ns - 9 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 - R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0 e6 e6 - e6
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm - 22.22 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit - 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM - SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4 4 4 4 - 4
功能数量 1 1 1 1 - 1
端口数量 1 1 1 1 - 1
端子数量 54 54 54 54 - 54
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words - 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 - 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C
组织 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 - 16MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 - TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES - YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V - 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES - YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN BISMUTH TIN BISMUTH - TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL - DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm - 10.16 mm

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