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CA82C12-8MD

产品描述Parallel IO Port, 8-Bit, CMOS, CDIP24
产品类别微控制器和处理器   
文件大小401KB,共6页
制造商Calmos Systems Inc
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CA82C12-8MD概述

Parallel IO Port, 8-Bit, CMOS, CDIP24

CA82C12-8MD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Calmos Systems Inc
包装说明DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
JESD-30 代码R-XDIP-T24
JESD-609代码e0
位数8
端子数量24
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

文档解析

这份文档是关于CA82C12芯片的初步功能描述,以下是一些值得关注的技术信息:

  1. 芯片功能:CA82C12是一个8位输入/输出端口芯片,具有数据锁存器、三态输出缓冲器、设备选择和控制逻辑,以及中断生成逻辑。

  2. 兼容性:该芯片与行业标准的8212芯片引脚兼容,并且具有TTL兼容的输入/输出电压。

  3. 低功耗:特别适用于便携式或待机型应用,因为具有低功耗特性。

  4. 制造工艺:使用经过验证的CMOS工艺技术制造,确保了产品的可靠性。

  5. 数据锁存器:包含8个"D"型锁存器,由"EN"信号控制,当EN为低电平时,锁存数据。

  6. 三态输出:数据锁存器的输出连接到三态、非反相输出缓冲器,这些缓冲器通过公共控制线"输出使能"(OE)进行控制。

  7. 设备选择:DS1和DS2的逻辑与功能用于设备选择,当DS1·DS2为高电平时,CA82C12被选中,输出缓冲器被启用。

  8. 中断生成:当设备被选中或当CLR为高电平时,通过一个脉冲信号生成中断(INT)。

  9. 模式控制:MD信号用于确定输出缓冲器的状态和数据锁存器使能信号(EN)的来源。

  10. 控制和中断逻辑:CA82C12有四个控制信号输入(DS1, DS2, MD, STB)和一个中断输出(INT),用于控制设备选择、数据锁存、输出缓冲器状态和生成中断。

  11. 电气特性:文档提供了详细的电气特性,包括清除到输出延迟、输出禁用时间、输出使能时间等。

  12. 直流特性:包括电源电流、输入漏电流、输出短路电流、输入高低电压、输出高低电压等。

  13. 绝对最大额定值:列出了芯片在存储和工作条件下能承受的最大温度、电压和电流等。

CA82C12-8MD相似产品对比

CA82C12-8MD CA82C12-10CD CA82C12-10CJ CA82C12-10CP CA82C12-10ID
描述 Parallel IO Port, 8-Bit, CMOS, CDIP24 Parallel IO Port, 8-Bit, CMOS, CDIP24 Parallel IO Port, 8-Bit, CMOS, CDIP24 Parallel IO Port, 8-Bit, CMOS, PDIP24 Parallel IO Port, 8-Bit, CMOS, CDIP24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Calmos Systems Inc Calmos Systems Inc Calmos Systems Inc Calmos Systems Inc Calmos Systems Inc
包装说明 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
Is Samacsys N N N N N
JESD-30 代码 R-XDIP-T24 R-XDIP-T24 R-XDIP-T24 R-PDIP-T24 R-XDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
位数 8 8 8 8 8
端子数量 24 24 24 24 24
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1
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