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IDT71V2559S75PFG

产品描述ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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文件大小486KB,共26页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V2559S75PFG概述

ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V2559S75PFG规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT71V2559S75PFG相似产品对比

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描述 ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, LQFP, LQFP,
针数 100 100 100
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 7.5 ns 8 ns 8.5 ns
其他特性 FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3
功能数量 1 1 1
端子数量 100 100 100
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX18 256KX18 256KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
宽度 14 mm 14 mm 14 mm

 
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