N82S212AN,N82S212AN pdf中文资料,N82S212AN引脚图,N82S212AN电路-Datasheet-电子工程世界

N82S212AN: 产品描述IC 256 X 9 CACHE SRAM, 35 ns, PDIP22, Static RAM; 产品类别存储; 文件大小108KB，共4页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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N82S212AN概述

IC 256 X 9 CACHE SRAM, 35 ns, PDIP22, Static RAM

N82S212AN规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0
内存密度	2304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	9
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	75 °C
最低工作温度
组织	256X9
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	TTL
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

N82S212AN相似产品对比

	N82S212AN	N82S212AA	N82S212ANB	N82S212A	N82S212N	N82S212NB
描述	IC 256 X 9 CACHE SRAM, 35 ns, PDIP22, Static RAM	IC 256 X 9 CACHE SRAM, 35 ns, PQCC28, Static RAM	IC 256 X 9 CACHE SRAM, 35 ns, PDIP22, Static RAM	IC 256 X 9 CACHE SRAM, 45 ns, PQCC28, Static RAM	IC 256 X 9 CACHE SRAM, 45 ns, PDIP22, Static RAM	IC 256 X 9 CACHE SRAM, 45 ns, PDIP22, Static RAM
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	DIP, DIP22,.4	QCCJ, LDCC28,.5SQ	DIP, DIP22,.4	QCCJ, LDCC28,.5SQ	DIP, DIP22,.4	DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	35 ns	35 ns	35 ns	45 ns	45 ns	45 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T22	S-PQCC-J28	R-PDIP-T22	S-PQCC-J28	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	2304 bit	2304 bit	2304 bit	2304 bit	2304 bit	2304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	28	22	28	22	22
字数	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words
字数代码	256	256	256	256	256	256
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	75 °C	75 °C	75 °C	75 °C	75 °C	75 °C
组织	256X9	256X9	256X9	256X9	256X9	256X9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCJ	DIP	QCCJ	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.4	LDCC28,.5SQ	DIP22,.4	LDCC28,.5SQ	DIP22,.4	DIP22,.4
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.185 mA	0.185 mA	0.185 mA	0.185 mA	0.185 mA	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES	NO	NO
技术	TTL	TTL	TTL	TTL	TTL	TTL
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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