电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IDT70V9279S6PRFG

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX16, 6.5ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128
产品类别存储   
文件大小201KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

IDT70V9279S6PRFG概述

Dual-Port SRAM, 32KX16, 6.5ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128

IDT70V9279S6PRFG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP, QFP128,.63X.87
针数128
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G128
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量128
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP128,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.395 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 394  688  724  1300  1693 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved