Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CQCC22,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | TEMIC |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 35 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-XQCC-N22 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 |
端子数量 | 22 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 64KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC22,.3X.5 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流 | 0.02 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.07 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
HM4-65787K-8 | HM1-65787K-8 | HM1-65787M-8 | HM4-65787M-8 | |
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描述 | Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CQCC22, | Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, | Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CDIP22, | Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CQCC22, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | TEMIC | TEMIC | TEMIC | TEMIC |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 35 ns | 35 ns | 45 ns | 45 ns |
I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-XQCC-N22 | R-XDIP-T22 | R-XDIP-T22 | R-XQCC-N22 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 22 | 22 | 22 | 22 |
字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | QCCN | DIP | DIP | QCCN |
封装等效代码 | LCC22,.3X.5 | DIP22,.3 | DIP22,.3 | LCC22,.3X.5 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流 | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A |
最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | QUAD |
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