IPD60R180P7,IPD60R180P7 pdf中文资料,IPD60R180P7引脚图,IPD60R180P7电路-Datasheet-电子工程世界

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IPD60R180P7: 产品描述The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小1MB，共14页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IPD60R180P7概述

The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

IPD60R180P7相似产品对比

	IPD60R180P7	IPD60R180P7ATMA1
描述	The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.	漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 280uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：72W(Tc) 类型：N沟道

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