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AS7C33512NTF32A

产品描述3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
文件大小408KB,共18页
制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
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AS7C33512NTF32A概述

3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

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April 2005
®
AS7C33512NTF32A
AS7C33512NTF36A
3.3V 512K × 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
TM
Features
Organization: 524,288 words × 32 or 36 bits
NTD
architecture for efficient bus operation
Fast clock to data access: 7.5/8.5/10 ns
Fast OE access time: 3.5/4.0 ns
Fully synchronous operation
Flow-through mode
Asynchronous output enable control
Available in 100-pin TQFP package
Individual byte write and global write
Clock enable for operation hold
Multiple chip enables for easy expansion
3.3V core power supply
2.5V or 3.3V I/O operation with separate V
DDQ
Self-timed write cycles
Interleaved or linear burst modes
Snooze mode for standby operation
Logic block diagram
A[18:0]
19
D
Address
register
Burst logic
Q
19
CLK
CE0
CE1
CE2
R/W
BWa
BWb
BWc
BWd
ADV / LD
LBO
ZZ
D
Q
19
Write delay
addr. registers
CLK
Control
logic
CLK
Write Buffer
CLK
512K x 32/36
SRAM
Array
DQ[a,b,c,d]
32/36
D
Data
Q
Input
Register
CLK
32/36
32/36
32/36
32/36
CLK
CEN
OE
Output
Buffer
32/36
OE
DQ[a,b,c,d]
Selection guide
-75
Minimum cycle time
Maximum clock access time
Maximum operating current
Maximum standby current
Maximum CMOS standby current (DC)
8.5
7.5
275
90
60
-85
10
8.5
250
80
60
-10
12
10
230
80
60
Units
ns
ns
mA
mA
mA
4/21/05, v 1.3
Alliance Semiconductor
P. 1 of 18
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.

AS7C33512NTF32A相似产品对比

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描述 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
是否Rohs认证 - 不符合 符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 - ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码 - QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 - LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87
针数 - 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 - 8.5 ns 8.5 ns 8.5 ns 10 ns 8.5 ns 10 ns 10 ns
其他特性 - FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) - 100 MHz 100 MHz 100 MHz 83 MHz 100 MHz 83 MHz 83 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 - R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 - e0 e3 e0 e3 e3 e0 e0
长度 - 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 - 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi
内存集成电路类型 - ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 - 36 36 36 36 36 36 36
功能数量 - 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 - 100 100 100 100 100 100 100
字数 - 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 - 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 - 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 - QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED 245 NOT SPECIFIED 245 245 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 - 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最小待机电流 - 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 - 0.25 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.23 mA 0.25 mA 0.23 mA 0.23 mA
最大供电电压 (Vsup) - 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) - 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - YES YES YES YES YES YES YES
技术 - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 - INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 - 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 - QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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