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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS7C33512NTF36A-85TQC
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AS7C33512NTF36A-85TQC

产品描述3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
产品类别存储    存储   
文件大小408KB，共18页
制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
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AS7C33512NTF36A-85TQC概述

3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C33512NTF36A-85TQC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度18874368 bi
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

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April 2005
®
AS7C33512NTF32A
AS7C33512NTF36A
3.3V 512K × 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
TM
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Organization: 524,288 words × 32 or 36 bits
NTD
™
architecture for efficient bus operation
Fast clock to data access: 7.5/8.5/10 ns
Fast OE access time: 3.5/4.0 ns
Fully synchronous operation
Flow-through mode
Asynchronous output enable control
Available in 100-pin TQFP package
Individual byte write and global write
•
•
•
•
•
•
•
Clock enable for operation hold
Multiple chip enables for easy expansion
3.3V core power supply
2.5V or 3.3V I/O operation with separate V
DDQ
Self-timed write cycles
Interleaved or linear burst modes
Snooze mode for standby operation
Logic block diagram
A[18:0]
19
D
Address
register
Burst logic
Q
19
CLK
CE0
CE1
CE2
R/W
BWa
BWb
BWc
BWd
ADV / LD
LBO
ZZ
D
Q
19
Write delay
addr. registers
CLK
Control
logic
CLK
Write Buffer
CLK
512K x 32/36
SRAM
Array
DQ[a,b,c,d]
32/36
D
Data
Q
Input
Register
CLK
32/36
32/36
32/36
32/36
CLK
CEN
OE
Output
Buffer
32/36
OE
DQ[a,b,c,d]
Selection guide
-75
Minimum cycle time
Maximum clock access time
Maximum operating current
Maximum standby current
Maximum CMOS standby current (DC)
8.5
7.5
275
90
60
-85
10
8.5
250
80
60
-10
12
10
230
80
60
Units
ns
ns
mA
mA
mA
4/21/05, v 1.3
Alliance Semiconductor
P. 1 of 18
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.

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描述 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 -
厂商名称 ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] -
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP -
包装说明 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 -
针数 100 100 100 100 100 100 100 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow -
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A -
最长访问时间 8.5 ns 8.5 ns 8.5 ns 10 ns 8.5 ns 10 ns 10 ns -
其他特性 FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE -
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 83 MHz 100 MHz 83 MHz 83 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 -
JESD-609代码 e0 e0 e3 e3 e3 e0 e0 -
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm -
内存密度 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi -
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM -
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36 -
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 -
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words -
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C -
组织 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP -
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 245 245 245 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm -
最大待机电流 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A -
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V -
最大压摆率 0.25 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.23 mA 0.25 mA 0.23 mA 0.23 mA -
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V -
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V -
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V -
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING -
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm -
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm -

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