电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HS9-4423EH-Q

产品描述Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER HDR/LDR, CLASS V
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小234KB,共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HS9-4423EH-Q概述

Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER HDR/LDR, CLASS V

HS9-4423EH-Q规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明DFP,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
高边驱动器NO
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-CDFP-F16
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
标称输出峰值电流2 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
最大供电电压18 V
最小供电电压12 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
总剂量300k Rad(Si) V
断开时间0.25 µs
接通时间0.25 µs

HS9-4423EH-Q相似产品对比

HS9-4423EH-Q HS9-4423RH/PROTO HS9-4423RH-Q HS9-4423BRH-8
描述 Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER HDR/LDR, CLASS V Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 DFP, DFP, DFP, FL16,.3 DFP,
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
高边驱动器 NO NO NO NO
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-CDFP-F16 R-GDFP-F16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16
功能数量 1 2 1 1
端子数量 16 16 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
标称输出峰值电流 2 A 2 A 2 A 2 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP DFP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
最大供电电压 18 V 18 V 18 V 18 V
最小供电电压 12 V 12 V 12 V 12 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
断开时间 0.25 µs 0.25 µs 0.25 µs 0.25 µs
接通时间 0.25 µs 0.25 µs 0.25 µs 0.25 µs
总剂量 300k Rad(Si) V - 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V
是否无铅 - 含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 - DFP DFP DFP
针数 - 16 16 16
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 2.92 mm 2.92 mm 2.92 mm
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 295  439  446  1516  1578 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved