Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, FL16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 高边驱动器 | NO |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 标称输出峰值电流 | 2 A |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 12/18 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.92 mm |
| 最大供电电压 | 18 V |
| 最小供电电压 | 12 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 300k Rad(Si) V |
| 断开时间 | 0.25 µs |
| 接通时间 | 0.25 µs |
| 宽度 | 6.73 mm |
| HS9-4423RH-Q | HS9-4423RH/PROTO | HS9-4423BRH-8 | HS9-4423EH-Q | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER | Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER | Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER | Gate Drivers RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER HDR/LDR, CLASS V |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | DFP, FL16,.3 | DFP, | DFP, | DFP, |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 高边驱动器 | NO | NO | NO | NO |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 | R-GDFP-F16 | R-CDFP-F16 | R-CDFP-F16 |
| 功能数量 | 1 | 2 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 标称输出峰值电流 | 2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP | DFP | DFP | DFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK |
| 最大供电电压 | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
| 最小供电电压 | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 断开时间 | 0.25 µs | 0.25 µs | 0.25 µs | 0.25 µs |
| 接通时间 | 0.25 µs | 0.25 µs | 0.25 µs | 0.25 µs |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 零件包装代码 | DFP | DFP | DFP | - |
| 针数 | 16 | 16 | 16 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 2.92 mm | 2.92 mm | 2.92 mm | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 总剂量 | 300k Rad(Si) V | - | 300k Rad(Si) V | 300k Rad(Si) V |
| 宽度 | 6.73 mm | 6.73 mm | 6.73 mm | - |
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