电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BZD27C150P

产品描述150 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小157KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BZD27C150P在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BZD27C150P - - 点击查看 点击购买

BZD27C150P概述

150 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB

BZD27C150P规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
BZD27C11P
THRU
BZD27C270P
Voltage Regulator Diodes
Voltage Range
11
to 270 Volts
0.8 Watts Power Dissipation
Features
Silicon planar zener diodes
Low profile surface-mount package
Zener and surge current specification
Low leakage current
Excellent stability
High temperature soldering:
260
O
C / 10 sec. at terminals
Sub SMA
Mechanical Data
Case: Sub SMA Plastic
Packaging method: refer to package code
Marking code: as table
Weight: 10 mg (approx.)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Type Number
Forward Voltage
Power Dissipation
@ IF = 0.2A
TL=80 C
O
TA=25 C (Note 1)
O
Symbol
V
F
Ptot
P
ZSM
P
RSM
P
RSM
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
STG
Value
1.2
2.3
0.8
300
150
100
Units
V
W
W
W
W
K /W
K /W
O
C
Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation
100us square pulse (Note 2)
Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation
10/1000 us waveform (BZD27-C7V5P to
BZD27-C100P) (Note 2)
Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation
10/1000 us waveform (BZD27-110P to BZD27-C200P)
(Note 2)
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)
180
Thermal Resistance Junction to Lead
30
Operating and Storage Temperature Range
-65 to + 175
Notes: 1. Mounted on Epoxy-Glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≧40um thick)
2. T
J
=25
O
C Prior to Surge.
05.07.2006/rev.g

BZD27C150P相似产品对比

BZD27C150P BZD27C270P BZD27C82P BZD27C30P BZD27C160P BZD27C130P BZD27C110P
描述 150 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB 11 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE 82 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB 30 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB 160 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB 130 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB 11 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compli compliant _compli compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 1
AD与DA设计宝典
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:38 编辑 AD与DA设计宝典 155435155436 下载中心资料地址:AD与DA设计宝典 155437 ...
qwqwqw2088 模拟与混合信号
看看M0, M3,M4的区别
看看M0, M3,M4的区别 ,M4具有DSP运算功能的arm...
安_然 stm32/stm8
放大器波型失真严重,正弦波变成T形波
参照下边的电路图做一个单端到差分的转换器,3脚输入0~5V正弦波(图2的通道2),OUT1输出波型为图1的通道1,OUT2为图2的通道2。 信号源使用DAC产生0~1.2V的正弦波经过一个放大器同向放大后得输 ......
littleshrimp 模拟电子
AD9使用问题
AD9在原理图中更换元器件编号后,更新PCB,改变编号的器件会自己挪动到boardshape右下角,怎么才能让位置不动。 更奇怪的是,从别人电脑上拷过来的工程文件,在我的AD9上按上述步骤 ......
呜呼哀哉 PCB设计
有关车机卡顿求大神解
使用NCEMBSF9-16G 和NCLD3B2256M32产品,mtk6735平台,在低温-23℃测试出现死机现象,同时常温下卡顿,各位大神请问遇到过这种情况的告知怎么改?谢谢先 ...
dram2016 Linux开发
我最近设计的LPC1700开发板
上图: 88337 88338 88339 本帖最后由 zhaojun_xf 于 2012-5-30 14:08 编辑 ]...
zhaojun_xf NXP MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1883  2851  718  443  1913  41  31  52  2  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved