BZD27C30P: 产品描述30 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小157KB，共3页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/; 标准

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BZD27C30P概述

30 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB

BZD27C30P规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Taiwan Semiconductor
包装说明	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1 W
标称参考电压	30 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
最大电压容差	6.67%
工作测试电流	25 mA
Base Number Matches	1

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BZD27C11P

THRU

BZD27C270P

Voltage Regulator Diodes

Voltage Range

to 270 Volts

0.8 Watts Power Dissipation

Features

Silicon planar zener diodes

Low profile surface-mount package

Zener and surge current specification

Low leakage current

Excellent stability

High temperature soldering:

260

C / 10 sec. at terminals

Sub SMA

Mechanical Data

Case: Sub SMA Plastic

Packaging method: refer to package code

Marking code: as table

Weight: 10 mg (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Forward Voltage

Power Dissipation

@ IF = 0.2A

TL=80 C

TA=25 C (Note 1)

Symbol

Ptot

ZSM

RSM

θJA

θJL

, T

STG

Value

1.2

2.3

0.8

300

150

100

Units

K /W

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

100us square pulse (Note 2)

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

10/1000 us waveform (BZD27-C7V5P to

BZD27-C100P) (Note 2)

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

10/1000 us waveform (BZD27-110P to BZD27-C200P)

(Note 2)

Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)

180

Thermal Resistance Junction to Lead

Operating and Storage Temperature Range

-65 to + 175

Notes: 1. Mounted on Epoxy-Glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≧40um thick)

2. T

=25

C Prior to Surge.

05.07.2006/rev.g

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	BZD27C30P	BZD27C270P	BZD27C82P	BZD27C150P	BZD27C160P	BZD27C130P	BZD27C110P
描述	30 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB	11 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE	82 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB	150 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB	160 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB	130 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB	11 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
厂商名称	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Base Number Matches	1	-	1	1	1	1	1

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