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GS880E18CGT-150IV

产品描述SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
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文件大小242KB,共22页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS880E18CGT-150IV概述

SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M

GS880E18CGT-150IV规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)150 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8/2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

GS880E18CGT-150IV相似产品对比

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描述 SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M SRAM 1.8/2.5V 256K x 32 8M SRAM 1.8/2.5V 256K x 32 8M SRAM 1.8/2.5V 256K x 32 8M SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 256K x 36 9M
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87
针数 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks
最长访问时间 7.5 ns 6.5 ns 7.5 ns 5.5 ns 6.5 ns 6.5 ns 7.5 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 9437184 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 18 32 32 32 18 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100
字数 524288 words 262144 words 262144 words 262144 words 524288 words 262144 words 262144 words
字数代码 512000 256000 256000 256000 512000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX18 256KX32 256KX32 256KX32 512KX18 256KX36 256KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260
电源 1.8/2.5 V 1.8/2.5 V 1.8/2.5 V 1.8/2.5 V 1.8/2.5 V 1.8/2.5 V 1.8/2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.045 A 0.045 A 0.045 A 0.045 A 0.045 A 0.045 A 0.045 A
最小待机电流 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
最大压摆率 0.135 mA 0.17 mA 0.145 mA 0.2 mA 0.16 mA 0.17 mA 0.145 mA
最大供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 PURE MATTE TIN PURE MATTE TIN PURE MATTE TIN PURE MATTE TIN PURE MATTE TIN PURE MATTE TIN PURE MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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