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GS880E36CGT-200IV: 产品描述SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M; 产品类别存储存储; 文件大小242KB，共22页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS880E36CGT-200IV概述

SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M

GS880E36CGT-200IV规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	6.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8/2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.045 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	PURE MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

GS880E36CGT-200IV相似产品对比

	GS880E36CGT-200IV	GS880E32CGT-200IV	GS880E32CGT-150IV	GS880E32CGT-250IV	GS880E18CGT-200IV	GS880E18CGT-150IV	GS880E36CGT-150IV
描述	SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M	SRAM 1.8/2.5V 256K x 32 8M	SRAM 1.8/2.5V 256K x 32 8M	SRAM 1.8/2.5V 256K x 32 8M	SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M	SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M	静态随机存取存储器 1.8/2.5V 256K x 36 9M
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks
最长访问时间	6.5 ns	6.5 ns	7.5 ns	5.5 ns	6.5 ns	7.5 ns	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	32	32	32	18	18	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	524288 words	524288 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	512000	512000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256KX36	256KX32	256KX32	256KX32	512KX18	512KX18	256KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
电源	1.8/2.5 V	1.8/2.5 V	1.8/2.5 V	1.8/2.5 V	1.8/2.5 V	1.8/2.5 V	1.8/2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.045 A	0.045 A	0.045 A	0.045 A	0.045 A	0.045 A	0.045 A
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
最大压摆率	0.17 mA	0.17 mA	0.145 mA	0.2 mA	0.16 mA	0.135 mA	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	PURE MATTE TIN	PURE MATTE TIN	PURE MATTE TIN	PURE MATTE TIN	PURE MATTE TIN	PURE MATTE TIN	PURE MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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